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金融界2025年6月16日消息，国家知识产权局信息显示，纳维达斯半导体有限公司申请一项名为“包含PFC和QR反激式控制器的集成GaN功率设备”的专利，公开号CN120150471A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开涉及包含PFC和QR反激式控制器的集成GaN功率设备。一种电子组件。所述电子组件包含：基座；第一半导体设备，其附接到基座并且具有：第一氮化镓(GaN)基开关，其具有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极被布置为控制第一源极与第一漏极之间的电流流动；第二GaN基开关，其具有第二源极、第二栅极和第二漏极，所述第二栅极耦合到第一栅极，并且所述第二漏极耦合到第一漏极。在一个方面，所述电子组件还包含第二半导体设备，其附接到基座并且具有：逻辑电路，其耦合到第二源极并且被布置为检测电流流动的幅度；以及驱动电路，其耦合到第一栅极和第二栅极，所述驱动电路被布置为控制第一GaN基开关和第二GaN基开关的导通和截止状态。
本文源自：金融界
作者：情报员
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