北京
金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种单向低容瞬态电压抑制保护器件”的专利，公开号CN120152387A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明实施例提供了一种单向低容瞬态电压抑制保护器件，在衬底上生长第一外延层，然后在第一外延层进行离子注入形成第一注入区，再在第一外延层上生长第二外延层，再在第二外延层上进行离子注入形成第二注入区、第三注入区和第四注入区，最后在第三注入区进行离子注入形成第五注入区和第六注入区，在第四注入区进行离子注入区形成第七注入区，最终形成横向由右往左的SCR结构和从下往上的NPN结构或者从下往上的NP结构，解决了现有双向NPN特性抑制保护器件，负端钳位电压过高，对后端产品防护效果不佳，或者目前通过封装串联结构实现单向NPN特性瞬态电压抑制保护器件，封装尺寸做不小，负端开启电压为2Vf和2RDYN的问题。此种方法能更好的解决负端钳位电压过高的问题和封装尺寸限制问题。
天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了25家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息25条，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可13个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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