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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司;北京航空航天大学申请一项名为“一种磁存储器以及写入方法”的专利，公开号CN120111894A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种磁存储器以及写入方法，用于避免当强自旋轨道耦合层中的SOT电流过大时所导致的误写问题。包括：强自旋轨道耦合层与放置于强自旋轨道耦合层上的多个MTJ，多个MTJ中的每个MTJ包括自由层、绝缘层与钉扎层，自由层包括第一磁性层、第二磁性层与间隔层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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