赛道Hyper | SK海力士首超三星登顶DRAM市场

作者：周源/华尔街见闻

2025年第一季度，全球DRAM市场迎来自1992年三星电子确立行业领导地位以来，最重大的格局变动。

根据市场研究机构Omdia统计数据，SK海力士以36.9%的市占率首次超越三星电子（34.4%），成为全球最大DRAM供应商。

尽管第一季度全球DRAM销售额因合同价格下跌、以及HBM出货量下降，导致环比减少9%至263.3亿美元，但SK海力士凭借97.2亿美元的营收表现逆势上扬，而三星电子营收则同比下滑19%至91亿美元。

这一结果不仅终结了三星持续33年的市场垄断，更标志着AI驱动下的存储技术迭代，正在重塑行业竞争逻辑。

高带宽内存（HBM）成为此次市场格局变化的核心变量。

SK海力士通过长期技术积累，在HBM3E领域建立起显著优势；第五代HBM3E产品采用12层堆叠技术，带宽达到1.2TB/s，单颗容量最高36GB，主要供应英伟达H200、B200等AI加速卡。

凭借在TSV（硅通孔）封装技术上的先发优势，SK海力士自2009年起持续投入研发，构建了从设计、量产到测试的完整技术体系。

目前，SK海力士HBM产品已占据全球市场主要份额，尤其在HBM3细分领域占比超过90%。

相比之下，三星因HBM3E技术不过关（长时间无法通过英伟达测试）导致高单价产品出货量骤减，直接拖累整体营收表现。

在传统DRAM领域，SK海力士通过1b nm（1α纳米）制程技术的快速量产，实现了性能与成本的优化平衡。

海力士1b nm DDR5产品能效比相比上一代提升20%，支撑了在服务器和PC市场的份额扩张；三星在1a nm制程的良率提升上遭遇瓶颈，导致高端DDR5产品供应不足，被迫将部分产能转向成熟制程，进一步削弱市场竞争力。

生成式AI模型的参数规模呈指数级扩张，对存储带宽和容量提出了严苛要求。

以英伟达H100 GPU为例，需配置640GB HBM3E和2TB DDR5内存，而训练GPT-5级别的模型更需EB级存储支持。

SK海力士通过与英伟达的深度绑定，在AI服务器市场占据超过70%的份额，其HBM3E产品已被微软“星际之门”、谷歌Gemini等超大规模AI项目采用。

HBM生产高度依赖先进封装技术，其中TSV和微凸块（μBump）工艺占据关键地位。

SK海力士通过自研MR-MUF（金属扩散阻挡层）技术，将HBM3E的堆叠层数，从8层提升至12层，同时良率表现较好。

台积电作为其主要封装合作伙伴，已将CoWoS产能的70%分配给SK海力士，确保了HBM3E的稳定供应。

三星因其12层HBM3E产品的量产时间反复推迟——最新消息是推迟至2025年第三季度，故而丧失市场先机。

此外，HBM生产所需的高纯度铜、环氧树脂等材料仍高度依赖进口，其中SK海力士60%的TSV刻蚀设备来自科林研发（Lam Research），Syndion系列设备可实现深硅晶蚀刻，满足HBM封装需求。

目前，SK海力士和三星电子均已启动HBM4研发，其中海力士计划在2025年下半年推出样品，其16层堆叠产品带宽将达2.56TB/s，单颗容量64GB，主要面向英伟达H300和AMD MI400X等下一代AI加速器。

三星则押注于混合键合技术，试图在HBM4E阶段实现技术反超，但由于存在NAND与DRAM联产工艺的兼容性问题，故而其量产进度存在不确定性。

在传统DRAM领域，SK海力士计划在2025年底将1b nm产能提升至每月9万片，并启动1c nm工艺研发，目标将晶体管密度再提升20%。

三星则聚焦于极紫外光刻（EUV）技术的应用，其1a nm制程的EUV导入率已达40%，但良率提升缓慢制约了规模效应的发挥。

随着AI PC和端侧大模型的普及，SK海力士推出专为AI计算设计的LPCAMM2存储模块，支持40TOPS+的算力需求，并与联想、戴尔等厂商合作推动量产。

三星则通过与AMD合作，试图在嵌入式DRAM（eDRAM）领域打开新市场，但其面向车载和物联网的eDRAM产品性能指标仍落后于美光科技。

此次变局标志着DRAM产业从规模竞争转向技术纵深竞争。

2025年Q1，SK海力士、三星电子和美光科技在DRAM的合计市占率超95%+。其中，SK海力士在HBM市场的份额超过60%，形成技术寡头格局；价格周期呈现结构性分化：普通DRAM均价跌超10%，但HBM3E价格仅环比微降3%，AI相关存储产品成为抗周期支点。

随着AI服务器需求的持续增长，据TrendForce预测，今年二季度，DRAM价格将止跌回升——市场消息也已部分验证这项推测——其中HBM3E价格涨幅有望达5%-10%，成为行业复苏的主要驱动力。

此次SK海力士超越三星登顶DRAM市场，不仅是两家企业技术路线与市场策略的较量，更是AI时代存储技术范式转换的集中体现。

随着HBM和先进制程的持续迭代，行业竞争将从规模扩张转向技术纵深，而技术卡位能力、产业链协同效率，也将成为决定企业长期竞争力的关键要素。

对于整个半导体产业而言，这一事件标志着AI驱动的存储革命已进入深水区，技术创新与生态重构将共同塑造未来十年的行业格局。