金融界2025年6月3日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“静电保护结构及其形成方法”的专利,公开号CN120091632A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,一种静电保护结构及其形成方法,结构包括:具有深N型阱区的衬底;第一隔离结构,位于PMOS区和NMOS区的深N型阱区中且相间隔;P型阱区和N型阱区,位于深N型阱区中,同一MOS区中,P型阱区与N型阱区相间隔,相邻MOS区的N型阱区与P型阱区相对设置;栅极结构,位于P型阱区上且靠近同一MOS区的N型阱区一侧;P型源区,位于PMOS区的P型阱区中且在栅极结构背向PMOS区的N型阱区一侧;P型漏区,位于PMOS区的N型阱区中;N型源区,位于NMOS区的P型阱区中且在栅极结构背向NMOS区的N型阱区一侧;N型漏区,位于NMOS区的N型阱区中。静电保护结构实现双向防护且形成可控硅器件,提高静电保护性能。
本文源自:金融界
作者:情报员
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