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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“静电保护结构及其形成方法”的专利，公开号CN120091632A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种静电保护结构及其形成方法，结构包括：具有深N型阱区的衬底；第一隔离结构，位于PMOS区和NMOS区的深N型阱区中且相间隔；P型阱区和N型阱区，位于深N型阱区中，同一MOS区中，P型阱区与N型阱区相间隔，相邻MOS区的N型阱区与P型阱区相对设置；栅极结构，位于P型阱区上且靠近同一MOS区的N型阱区一侧；P型源区，位于PMOS区的P型阱区中且在栅极结构背向PMOS区的N型阱区一侧；P型漏区，位于PMOS区的N型阱区中；N型源区，位于NMOS区的P型阱区中且在栅极结构背向NMOS区的N型阱区一侧；N型漏区，位于NMOS区的N型阱区中。静电保护结构实现双向防护且形成可控硅器件，提高静电保护性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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