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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“高质量氮化物和氧化物制造以及系统”的专利，公开号CN120060832A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开涉及高质量氮化物和氧化物制造以及系统。一种方法(200)，其用以形成用于集成电路的氮化物或氧化物层中的至少一者，所述方法包括：(i)将半导体晶片定位(202)在处理室中，所述半导体晶片包含晶片正面，且所述处理室包含适于耦合到等离子体点火外部射频源的微分表面；(ii)通过在所述等离子体点火外部射频源启用时使用于所述氮化物或氧化物层中的选定一者的至少两种前体气体在所述室中反应而将氮化物或氧化物中的一者沉积(208)在所述半导体晶片或相对于所述晶片正面附连的层的至少一个暴露部分上；以及(iii)在所述等离子体点火外部射频源启用的情况下且在不存在所述至少两种前体气体中的至少一者时通过暴露于氦气和氮气而后处理(210)氮化物或氧化物中的所述一者。
本文源自：金融界
作者：情报员
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