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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请一项名为“超原子束源筛选方法”的专利，公开号CN120072379A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明属于半导体材料表面加工技术领域，公开了一种超原子束源筛选方法。该超原子束源筛选方法包括步骤：将超原子束源进行离子化处理，使超原子束源失去电子，表现为带正电，形成超原子离子和单原子离子；施加电场，使失去电子的超原子束源定向加速移动，并经收束器收束后形成射束；将射束引入磁筛选装置的内部通道进行筛选，过滤掉超原子束源中的单原子离子。本发明提供的超原子束源筛选方法，因超原子离子和单原子离子具有相同动能，超原子离子的质量高于单原子离子质量，质量高的超原子离子偏转半径很大，几乎不受内部通道的磁场影响，可以通过磁筛选装置，质量低的单原子离子偏转半径较小，更容易偏转而滤除，进而提升超原子束中超原子的占比。
本文源自：金融界
作者：情报员
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