北京
金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“半导体炉管温度补偿方法”的专利，公开号CN120068701A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体炉管内晶圆温度补偿方法，包括S1、获取同时包括了m个晶圆和n个温区的半导体炉管的物理参数以构建温度场仿真模型；其中，各温区为半导体炉管侧壁上的各加热器所在区域；S2、将预设工艺温度曲线分别作为各温区的参考温度输入至温度场仿真模型，并基于各温区的预设寻优范围以及第一预设终止条件使用优化算法执行多轮迭代操作，以生成各温区的优化温度；S3、基于n组的优化温度对各温区分别执行温度补偿。本发明至少解决现有实验法测量温度补偿值中各加热器温度补偿量为定值，无法适应实际的温度波动情况和晶圆数量变动时或者工艺温度曲线更换时，已有的固定补偿不匹配等问题。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目701次，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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