北京
金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“静电放电保护结构及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN120051007A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请涉及一种静电放电保护结构及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底，衬底包括经由衬底第一表面沿朝向衬底的第一方向延伸的第一型阱区；第一型阱区包括沿平行于第一表面的第二方向间隔分布的隔离结构；任一相邻隔离结构之间形成的有间隔排列的栅极结构；去除部分第一型阱区，得到位于栅极结构与隔离结构之间的第一沟槽，以及位于栅极结构之间的第二沟槽；对第一型阱区执行离子注入工艺，形成第一型掺杂区和第二型掺杂区；其中，第一型掺杂区位于相邻隔离结构之间，第二型掺杂区包围第一沟槽和第二沟槽与第一型阱区接触的表面。在版图面积不变的情况下实现源、漏端Trench结构，增大源、漏端与阱区的结面积，从而提升GGNMOS ESD防护等级。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1821次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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