北京
金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司申请一项名为“气相沉积设备”的专利，公开号CN120026307A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请是关于一种气相沉积设备，涉及半导体制备技术领域，气相沉积设备包括第一进气口、气体分配结构、进气结构体和承载台，气体分配结构包括底壁和侧壁，底壁上设置有多个过气孔，侧壁中设置有环绕底壁的第一加热部；进气结构体设置在底壁和侧壁围合形成的空间内，进气结构体中设置有连通第一进气口和各过气孔的气体通道，进气结构体中设置有环绕气体通道的第二加热部。通过在气体分配结构的侧壁中设置第一加热部并在进气结构体中设置第二加热部，能够利用第一加热部和第二加热部实现对气相沉积设备中温度分布的控制，从而通过温度的调整控制不同区域的反应气体的自由分子碰撞频率，提升了膜层厚度的均匀性，有利于执行后续工艺并提升产品良率。
天眼查资料显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4481039.58万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫集电（北京）存储技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目135次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可1242个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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