北京
金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，无锡芯动半导体科技有限公司申请一项名为“具有U型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构、器件及制备方法”的专利，公开号CN120018560A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明提出了两种具有U型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构，均通过中部屏蔽区和顶部屏蔽区将沟槽栅极的侧壁完整包覆，一方面能提高MOSFET的导通能力和耐压性，另一方面能减少电场尖峰现象，降低栅氧层击穿风险；均跨越三区/层，这样有助于优化整个元胞结构的电场；此外，两种元胞结构的顶部屏蔽区离子浓度均高于中部屏蔽区离子浓度，这样在不同深度能够形成浓度不同的屏蔽区，能够优化电场分布和击穿电压，提高MOSFET的可靠性。本发明还公开了具有U型沟槽的碳化硅MOSFET器件。此外，还公开了元胞结构的制备方法，通过三次分步注入能够优化击穿电压，平滑电场分布，优化体二极管的反向恢复性能。
天眼查资料显示，无锡芯动半导体科技有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯动半导体科技有限公司参与招投标项目53次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可34个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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