北京
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有背侧源极/漏极连接的垂直传输场效应晶体管”的专利，公开号CN120019730A，申请日期为2023年08月。
专利摘要显示，在晶片上提供VTFET。背侧电力输送网络位于晶片的背侧上。第一背侧触点连接到VTFET的底部源极/漏极区和背侧电力输送网络的第一部分。第二背侧触点连接到VTFET的顶部源极/漏极区和背侧电力输送网络的第二部分。
本文源自：金融界
作者：情报员
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