北京
金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种SONOS闪存存储管及其制备方法和应用”的专利，公开号CN120015615A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种SONOS闪存存储管及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：在半导体基底上形成隧穿二氧化硅层；在具有隧穿二氧化硅层的半导体基底上进行沉积，使得所述隧穿二氧化硅层上形成有氮化物层；对所述半导体基底进行硅离子注入，以使所述氮化物层成为富硅氮化物层；在所述富硅氮化物层上沉积形成阻隔二氧化硅层；在所述阻隔二氧化硅层上形成存储管多晶硅栅。本发明通过采用原子层沉积的方法制备ONO结构中的氮化物层，同时向氮化物层中注入硅离子，可以量化注入氮化物层中的硅离子的数量，从而能够量化并增加氮化物层中缺陷的数量，进而改善氮化物层俘获电子的能力。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息19条。
本文源自：金融界
作者：情报员
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