北京
金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司取得一项名为“一种基于SOI工艺的ESD保护器件及半导体器件”的专利，授权公告号CN222885085U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种基于SOI工艺的ESD保护器件及半导体器件，该ESD保护器件包括：SOI衬底、二极管阵列和多晶硅层；SOI衬底包括底层硅、埋氧层与顶层硅；二极管阵列成型于顶层硅，二极管阵列包括多个二极管行，每一二极管行均包括沿行方向交替设置的多个P+掺杂区和多个N+掺杂区；多个二极管行沿列方向排列，且相邻两行内的多个P+掺杂区和多个N+掺杂区沿列的方向错位分布，以沿列方向对应形成多个二极管列；每一二极管行和每一二极管列中，相邻的P+掺杂区和N+掺杂区之间均形成有阱区；多晶硅层至少设置于部分阱区的表面。
天眼查资料显示，杭州积海半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州积海半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目515次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可13个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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