金融界2025年5月19日消息,国家知识产权局信息显示,杭州积海半导体有限公司取得一项名为“一种基于SOI工艺的ESD保护器件及半导体器件”的专利,授权公告号CN222885085U,申请日期为2024年08月。
专利摘要显示,本实用新型提供一种基于SOI工艺的ESD保护器件及半导体器件,该ESD保护器件包括:SOI衬底、二极管阵列和多晶硅层;SOI衬底包括底层硅、埋氧层与顶层硅;二极管阵列成型于顶层硅,二极管阵列包括多个二极管行,每一二极管行均包括沿行方向交替设置的多个P+掺杂区和多个N+掺杂区;多个二极管行沿列方向排列,且相邻两行内的多个P+掺杂区和多个N+掺杂区沿列的方向错位分布,以沿列方向对应形成多个二极管列;每一二极管行和每一二极管列中,相邻的P+掺杂区和N+掺杂区之间均形成有阱区;多晶硅层至少设置于部分阱区的表面。
天眼查资料显示,杭州积海半导体有限公司,成立于2019年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州积海半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目515次,财产线索方面有商标信息10条,专利信息109条,此外企业还拥有行政许可13个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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