北京
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置与其制造方法”的专利，公开号CN119997507A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，一种存储器装置的制造方法，包括以下步骤：在基板上方形成位元线结构；在位元线结构上方共形地形成第一间隔层；对第一间隔层的上部分进行表面处理，其中在表面处理后，第一间隔层的上部的氧浓度高于第一间隔层的下部的氧浓度；移除第一间隔层的上部；形成与位元线结构相邻的接触结构；及在接触结构及位元线结构上方形成着陆垫。本发明可用于降低位元线结构之间的沟槽的深宽比，以降低填充位元线结构之间的沟槽的难度。
本文源自：金融界
作者：情报员
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