金融界2025年5月17日消息,国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“存储器装置与其制造方法”的专利,公开号CN119997507A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,一种存储器装置的制造方法,包括以下步骤:在基板上方形成位元线结构;在位元线结构上方共形地形成第一间隔层;对第一间隔层的上部分进行表面处理,其中在表面处理后,第一间隔层的上部的氧浓度高于第一间隔层的下部的氧浓度;移除第一间隔层的上部;形成与位元线结构相邻的接触结构;及在接触结构及位元线结构上方形成着陆垫。本发明可用于降低位元线结构之间的沟槽的深宽比,以降低填充位元线结构之间的沟槽的难度。
本文源自:金融界
作者:情报员
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