北京
金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“用于减少光刻胶剥离缺陷的方法”的专利，公开号CN119987152A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于减少光刻胶剥离缺陷的方法。所述用于减少光刻胶剥离缺陷的方法包括如下步骤：提供一测试结构，测试结构包括晶圆以及第一光刻胶层；形成测试光罩，测试光罩中具有相互平行且间隔排布的多个测试图案，相邻测试图案之间的测试间距逐渐增大；于晶圆上形成与多个测试图案一一对应的多个刻蚀图案；选择与具有最大测试间距的测试图案对应的刻蚀图案作为第一目标刻蚀图案，获取第一目标刻蚀图案的线宽与标准图案的线宽之间的差值，作为第一补值；采用第一补值对实际间距大于或者等于最大测试间距的实际图案的线宽进行补偿。本发明从源头上减少了光刻胶剥离缺陷，提高了半导体研发效率。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1817次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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