北京
金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“一种低容值静电保护器件及其制造方法”的专利，公开号CN119997525A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明提供了一种低容值静电保护器件及其制造方法，包括N型重掺杂衬底、第一层P型外延层和第二层P型外延层，第一层P型外延层的电阻率为高阻，第一层P型外延层和第二层P型外延层内设有相适配的N型反型层、隔离深沟槽和P型重掺杂埋层，N型反型层被P型重掺杂埋层分割，P型重掺杂埋层被隔离深沟槽分割的内侧部分长度为W1，W1＞N型反型层的厚度，P型重掺杂埋层、第一层P型外延层、N型重掺杂衬底构成一个PIN二极管，H为P型重掺杂埋层与N型重掺杂衬底之间的间距，PIN二极管的击穿电压能够随H的调整而变化。本发明的有益效果为：能够实现具有超低寄生电容且击穿电压可调的静电保护器件。
天眼查资料显示，深圳市晶扬电子有限公司，成立于2006年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1832.249万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市晶扬电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可14个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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