北京
金融界2025年5月12日消息，国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法”的专利，公开号CN119956334A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法，该多晶碳化硅承载衬底，至少包括：沿垂直方向依次堆叠形成的多晶碳化硅层和碳化硅过渡层；其中，所述碳化硅过渡层远离所述多晶碳化硅层的表面为用于键合单晶碳化硅衬底的键合面；所述碳化硅过渡层的晶粒粒径和粗糙度均小于所述多晶碳化硅层；所述碳化硅过渡层包括：碳化硅纳米晶层和/或非晶碳化硅层。该多晶碳化硅承载衬底能够满足键合单晶碳化硅衬底的要求，能够提高碳化硅器件的性能。
天眼查资料显示，苏州龙驰半导体科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本19634.4449万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州龙驰半导体科技有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可29个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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