北京
金融界 2025 年 5 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，成都泰美克晶体技术有限公司申请一项名为“半导体临时键合结构、键合与解键合方法及半导体器件”的专利，公开号 CN119943797A，申请日期为 2025 年 1 月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体临时键合结构、键合与解键合方法及半导体器件，该半导体临时键合结构包括：第一衬底；键合结构层，设置于第一衬底的一侧；键合结构层包括键合层和第二衬底，键合层被配置为键合第一衬底与第二衬底；键合结构层被配置为具有热应力缓解点阵。本发明通过在第一衬底的背面临时键合热膨胀系数接近但材料成本更低的第二衬底，利用第二衬底的键合增加半导体临时键合结构的厚度，避免 wafer 在传递以及高温加工过程中导致的破损，也降低了因背减材料消耗带来的材料成本，同时，通过键合结构层所具有的热应力缓解点阵，能够避免半导体临时键合结构在高温加工环境产生的集中热应力导致的 wafer 破损，提升产品良率。
天眼查资料显示，成都泰美克晶体技术有限公司，成立于2003年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本671.12524万美元。通过天眼查大数据分析，成都泰美克晶体技术有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息141条，此外企业还拥有行政许可79个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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