北京
金融界2025年5月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种用于嵌入式SONOS存储器的侧墙的制造方法”的专利，公开号CN119943661A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种用于嵌入式SONOS存储器的侧墙的制造方法，包括提供衬底，在衬底上形成具有L型侧墙的逻辑区和SONOS的栅极外层；在有源区和栅极上方形成金属硅化物层；淀积氮化硅作为刻蚀停止层；在刻蚀停止层表面生长牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行刻蚀，使逻辑区和SONOS的栅极外层由L型侧墙变为D型侧墙；淀积层间介质层；刻蚀层间介质层形成通孔，并在通孔中淀积金属。本发明将逻辑区和SONOS的栅极外层由L型侧墙变为D型侧墙，D型侧墙形貌稳定，刻蚀窗口大，有利于后续的层间介质层的填充，避免了填充过程中空洞缺陷的产生，提升了器件良率。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目856次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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