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光刻技术根据光源、光学系统和应用场景的差异可分为以下几类，其发展历程与半导体工艺需求密切相关：
一、紫外光刻技术（UV光刻）
原理与特点：利用紫外光（如g线436nm、i线365nm）作为光源，通过光学投影系统将掩模版图形转移至光刻胶层。
应用：成本低、效率高，广泛用于成熟制程（如28nm以上节点）及存储芯片制造。
演进：通过浸没式技术（液浸镜头提升分辨率）、多重曝光工艺进一步提升分辨率至14nm以下节点。
二、极紫外光刻技术（EUV光刻）
关键技术：采用波长13.5nm的极紫外光，突破传统光学系统限制，无需掩模版图形多次曝光即可实现7nm及以下制程。
现状：High-NA EUV（高数值孔径）光刻机已应用于2nm及埃米级工艺研发，显著提升分辨率和套刻精度。
三、电子束光刻技术（EBL）
原理：通过高能电子束直接扫描光刻胶表面进行图案化，分辨率可达亚纳米级别。
局限与用途：写入速度慢、成本高，主要用于掩模版制作、科研级纳米器件开发及低量产芯片原型验证。
四、X射线光刻技术（X光刻）
特点：利用X射线短波长（0.01-10nm）穿透性强、无衍射限制的特性，适用于特殊材料（如高深宽比结构）的微纳加工。
挑战：掩模版制备难度大、设备成本高，目前主要应用于MEMS和生物医学微流控芯片领域。
五、其他衍生技术
纳米压印光刻（NIL）：通过物理压印转移图案，成本低但分辨率受模板限制，适用于LED、传感器等非硅基器件。
直接自组装（DSA）：结合化学定向自组装与光刻引导，可减少多重曝光次数，尚处于研究阶段。
技术演进趋势
从UV到EUV的迭代体现了半导体工艺对更高分辨率与更低成本的追求。未来，混合光刻技术（如EUV+多重曝光）及新型光源（如自由电子激光）可能进一步突破物理极限，支撑3D集成与量子芯片制造需求。
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