北京
金融界 2025 年 5 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“一种 MOSFET 器件和芯片”的专利，公开号 CN119922948A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明实施例提供了一种 MOSFET 器件和芯片，包括 N 型衬底；N 型外延层，设于 N 型衬底另一侧；N 型电流扩展层和第一 P 型埋层，设于 N 型外延层上方；N 型电流扩展层与第一 P 型埋层连接；第一 N+区，设于第一 P 型埋层的表面形成的凹槽中；沟槽，形成于 N 型电流扩展层和第一 P 型埋层上方；源极多晶硅区、栅极多晶硅区和氧化层，设于沟槽内，氧化层覆盖源极多晶硅区和栅极多晶硅区的表面。本发明实施例通过 N 型电流扩展层和第一 P 型埋层形成在源极多晶硅下方的沟道二极管，当器件处于反向导通状态时，沟道二极管比体二极管先导通，从而避免了处于反向续流工作模式时，体二极管续流损耗大且存在双极退化的问题。
天眼查资料显示，珠海格力电器股份有限公司，成立于1989年，位于珠海市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本601573.0878万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电器股份有限公司共对外投资了99家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可816个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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