北京
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金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“用于晶体管器件中色散降低的势垒结构”的专利，公开号CN119923723A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，提供了一种晶体管器件。在一个实例中，晶体管器件包括沟道层。晶体管器件包括在沟道层上的多层势垒结构。多层势垒结构包括第一第III族氮化物层和在第一第III族氮化物层上且与沟道层相对的第二第III族氮化物层。第一第III族氮化物层的厚度大于第二第III族氮化物层的厚度。第一第III族氮化物层的铝浓度是第二第III族氮化物层的铝浓度的至少两倍大。
本文源自：金融界
作者：情报员
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