北京
金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN119894008A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：形成高压电容器的第一极板；在高压电容器的第一极板上形成至少一层层间介质层作为高压电容器的介质层，每层层间介质层内均形成有导电通孔，导电通孔相互连通并连通高压电容器的第一极板作为高压电容器的第一极板的引出通道；刻蚀层间介质层形成深槽；在深槽的侧壁及底部形成硅电容器的第一极板，硅电容器的第一极板与高压电容器的第一极板连通；在深槽的侧壁及底部形成硅电容器的介质层；在深槽内形成硅电容器的第二极板；在顶层的层间介质层上形成高压电容器的第二极板。本发明将高压电容器与硅电容器的制作集成在一个工艺中，节省了工艺步骤，节省了制作成本，提高了产品竞争力。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可16个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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