北京
金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“10361.薄膜参数的确定方法、装置及存储介质”的专利，公开号CN119851785A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种薄膜参数的确定方法、一种薄膜参数的确定装置及一种计算机可读存储介质。所述薄膜参数的确定方法包括以下步骤：获取脱氢处理工艺的多个工艺参数。所述多个工艺参数至少包括处理温度、等离子体功率及处理时间；以及将各所述工艺参数，输入预先建立的氢含量模型，以经由所述氢含量模型的氢原子活化扩散单元、氢原子与缺陷的相互作用单元及氢原子复合与解吸单元，联合确定所述薄膜中的氢分布及氢总量。本发明可以通过将脱氢处理工艺的多个工艺参数输入预先建立的氢含量模型，用于精准确定薄膜中的氢分布及氢总量，并用于对脱氢处理工艺的工艺参数优化进行理论指导。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息280条，此外企业还拥有行政许可10个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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