北京
金融界2025年4月17日消息，国家知识产权局信息显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司申请一项名为“一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法”的专利，公开号CN 119828364 A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种大区域表面氧化硅厚度均匀性控制方法，包括：在波导衬底上刻蚀形成金属沉积槽，在金属沉积槽内形成金属电极，并在金属沉积槽内填充氧化硅包层，以通过氧化硅包层将金属电极覆盖；在波导衬底的表面与氧化硅包层的表面共同形成的凹凸表面上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行图形化处理以使图形化的第光刻胶层在金属电极与金属沉积槽的槽壁之间的间隙上方形成保护结构；以保护结构为掩模，通过刻蚀图形化凹凸表面，以对凹凸表面进行第一次平坦化处理；去除保护结构，再对凹凸表面进行第二次平坦化处理，获得处理后的波导器件。本发明能够对大区域表面氧化硅厚度均匀性进行精确控制，进而提高器件性能及产品良率。
天眼查资料显示，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，国科光芯金杏（北京）实验室科技有限公司专利信息22条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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