北京
金融界 2025 年 4 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司申请一项名为“自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法”的专利，公开号 CN 119789436 A，申请日期为 2023 年 10 月。
专利摘要显示，本发明提供一种自旋轨道矩磁性存储器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成叠层单元和包覆叠层单元的介质层，叠层单元包括磁隧道结和 SOT 层，介质层包括顶部介质子层和侧部介质子层；在介质层上形成光刻处理层；图形化光刻处理层，以形成电互连沟槽；根据图形化后的光刻处理层刻蚀介质层，以露出 SOT 层的上表面或露出 SOT 层的侧壁；沉积导电材料，形成覆盖介质层的导电层；平坦化导电层，以使导电层形成至少两个相互独立的导电结构。本发明能够降低底部钉扎型 SOT‑MRAM 的制作成本。
天眼查资料显示，中电海康集团有限公司，成立于2002年，位于杭州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本84500万人民币，实缴资本66000万人民币。通过天眼查大数据分析，中电海康集团有限公司共对外投资了39家企业，参与招投标项目407次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息501条，此外企业还拥有行政许可14个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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