北京
金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司申请一项名为“一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质”的专利，公开号 CN 119786399 A，申请日期为 2025年3月。
专利摘要显示，本发明涉及数据处理的技术领域，提供了一种半导体刻蚀工艺参数优化方法、装置及存储介质，包括获取半导体刻蚀工艺在刻蚀过程中的实时数据并进行预处理，得到清洗后的数据集后提取出关键特征生成刻蚀状态权重矩阵，对刻蚀腔室的气压分布参数进行优化调整，得到气压设定值；获取刻蚀腔室的温度分布数据，对气压设定值和温度分布数据进行计算，得到射频功率设定值；利用射频功率设定值和气压设定值对半导体刻蚀工艺参数进行优化。通过实时数据的采集和处理，得到射频功率设定值和气压设定值并应用，提升刻蚀工艺的整体性能，改善在工艺复杂性和实时性要求较高时，存在着效率低、精度不足和适应性差的问题。
天眼查资料显示，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1691.708177万人民币，实缴资本822.934723万人民币。通过天眼查大数据分析，亿芯微半导体科技（深圳）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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