北京
金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种光电探测器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119767865 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种光电探测器件及其制备方法，光电探测器件包括光电探测单元，其包括：倍增区；分设于所述倍增区的相对两侧的第一欧姆接触区和第二欧姆接触区；依次叠设于所述倍增区的所述两侧之间的表面上的扩展电荷区、吸收区和第三欧姆接触区；所述倍增区的所述两侧之间的宽度大于所述扩展电荷区的同向上的宽度，所述扩展电荷区用于将所述吸收区与所述倍增区相连，并限制所述倍增区中的电场。本发明能够提供高灵敏度高增益效果的级联硅基锗光电探测器件，并能够解决传统硅基锗光电探测器存在的暗电流较大、噪声大导致的探测效果不佳的问题，提高了光电探测器件的灵敏度与性能水平。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币，实缴资本19560万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目292次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2060条，此外企业还拥有行政许可86个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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