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金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“改善刻蚀均匀度的刻蚀装置及刻蚀方法”的专利，公开号 CN 119764153 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善刻蚀均匀度的刻蚀装置及刻蚀方法，通过将聚焦环的顶面设置为低于晶圆承载台上所承载的晶圆的顶面，可暴露晶圆斜面的下侧，实现深度离子穿透，可增加晶圆边缘部分的离子流速度，增加晶圆边缘部分的蚀刻速率，提高等离子体分布均匀性，改善刻蚀均匀度。进一步的，通过优化聚焦环台阶的形貌，使得聚焦环台阶具有圆弧化拐角，可进一步的提高等离子体反弹效果，以对晶圆边缘进行有效刻蚀。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币，实缴资本522000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目678次，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可11个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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