北京
金融界 2025 年 4 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种平面栅碳化硅 MOSFET 器件”的专利，授权公告号 CN 222721863 U，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，一种平面栅碳化硅 MOSFET 器件，涉及半导体技术领域。在 SiC VDMOSFET 器件中，将原本的栅极通过金属分离开成为两个独立的栅极，并在底部的 SiC 表面通过注入形成 P 区，通过采用 P 区对栅氧化层进行保护，并且 P 区上表面通过与金属形成欧姆接触从而实现了接地处理，因此更进一步提高了其保护能力，从而提高了器件的栅氧层使用可靠性。此外，分离的栅极也降低了器件的栅漏电容，从而提高了器件的开关特性。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币，实缴资本54231.5万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目164次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息704条，此外企业还拥有行政许可233个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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