北京
金融界2025年4月3日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“降低导通损耗SiC器件”的专利，授权公告号CN 222706893 U，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，降低导通损耗SiC器件，涉及半导体技术领域。隔离介质层覆盖在门极Poly层的顶面，并向下延伸与N+区连接；碳化硅Drift层顶面的中部设有源级Poly层，源级Poly层的侧部设有与之间隔设置并与隔离介质层连接的欧姆接触合金层；源级Poly层和欧姆接触合金层之间设有向上延伸的氧化物介质层。欧姆接触合金层底部与碳化硅Drift层中的N+区和P+区接触，将P‑base区、N+区和P+区同电位，提高器件耐压能力。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币，实缴资本54231.5万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目164次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息704条，此外企业还拥有行政许可233个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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