北京
金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技股份有限公司申请一项名为“一种提升 LED 芯片亮度的结构”的专利，公开号 CN 119744056 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提升 LED 芯片亮度的结构，涉及 LED 芯片领域，尤其涉及通过栅格化光学隔离层并通过 DBR 与栅格化处理的光学隔离层相结合，增强光提取效率，减少光损耗的技术方案。该结构包括：LED 芯片中的量子阱层；位于量子阱层上方的透明导电层和光学隔离层；位于光学隔离层上的分布式布拉格反射镜；其中，光学隔离层经过栅格化处理，形成规则的光栅结构，以减少光吸收；通过栅格结构与 DBR 的结合增大了反射面积。与现有结构相比，本发明实现了对光吸收的有效抑制和光反射效率的提升。
天眼查资料显示，聚灿光电科技股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本67621.1846万人民币，实缴资本17153万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息166条，此外企业还拥有行政许可16个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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