北京
金融界2025年3月28日消息，国家知识产权局信息显示，吉光半导体科技有限公司申请一项名为“一种带相移的光栅及其制备方法”的专利，公开号 CN 119689623 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及光学加工技术领域，具体提供一种带相移的光栅及其制备方法，在晶圆表面制备具有不同厚度的掩膜，通过位移泰伯效应光栅光刻技术将不同厚度掩膜区蚀成周期性均匀光栅结构，再通过倾斜刻蚀方式，利用不同厚度的掩膜实现对待刻蚀面不同区域的遮挡，进而可是获得带相移的光栅，在实际生产中不同掩膜区的厚度差以及倾斜刻蚀的角度可以根据需要进行调节，进而精准控制相移量。本发明成功突破了位移泰伯效应光栅光刻技术在引入局部相移方面的限制，解决了其仅适用于制造大尺寸和周期性光栅结构的局限性，能够满足当前高精度相移DFB激光器的应用需求。
天眼查资料显示，吉光半导体科技有限公司，成立于2020年，位于长春市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本140000万人民币，实缴资本120000万人民币。通过天眼查大数据分析，吉光半导体科技有限公司参与招投标项目108次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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