北京
金融界2025年3月28日消息，国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅 wafer及高准确率的碳化硅 wafer位错检测方法”的专利，公开号 CN 119688427 A，申请日期为 2025年2月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法。氢氧化钾腐蚀碳化硅晶片后会在其表面附着肉眼不可见的残留物，该残留物无法通过水洗、醇洗去除，即使是可以与大多数有机物互溶的DMF DMSO溶剂，也无法起到有效的去除上述残留物的效果，现有技术在使用氢氧化钾腐蚀结合图像识别法检测位错时，容易清洗不到位导致残留物仍旧残留在晶片表面，进而导致将存在误判位错点时的位错数量及位错密度确认为真实数值。本发明通过在待测碳化硅晶片使用熔融氢氧化钾腐蚀之后，以及在所述位错检测之前，经过DMAC清洗所述碳化硅晶片表面，使得碳化硅晶片的位错检测结果接近其真实的位错结果，准确率较高。
天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币，实缴资本20252万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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