北京
金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，南昌凯捷半导体科技有限公司申请一项名为“一种高亮Micro-LED芯片及其制作方法”的专利，公开号 CN 119677250 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明属于LED芯片技术领域，具体地涉及一种高亮Micro‑LED芯片及其制作方法。该高亮Micro‑LED芯片自下而上包括第二键合层、第一键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、P接触电极、N接触电极、钝化层；第二键合层为锥形体结构并规律分布在芯片背面。本发明通过对键合层进行合理设计，设计两层材料不同的键合层，并将第二键合层设置成规律的圆锥体状，可提升Micro‑LED芯片发光强度与质量；同时在制作过程中通过高温淬火工艺可提高第一键合层与第二键合层致密性与结合强度，得到的芯片亮度高，稳定性好。
天眼查资料显示，南昌凯捷半导体科技有限公司，成立于2020年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本32644万人民币，实缴资本1492万人民币。通过天眼查大数据分析，南昌凯捷半导体科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
