北京
金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有限制光场上限波导层的氮化镓基半导体激光器”的专利，公开号CN 119674709 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有限制光场上限波导层的氮化镓基半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，所述下波导层为限制光场下波导层，所述上波导层为限制光场上波导层，限制光场下波导层包括第一限制光场下波导层和第二限制光场下波导层；所述限制光场上波导层包括第一限制光场上波导层和第二限制光场上波导层。本发明调控激光器的上波导层和下波导层的异质结势垒对载流子的限制作用，控制载流子输运和分布，将高度简并的电子空穴复合的受激辐射的限制在偏向下波导层方向，降低光场逸散和渗透，将载流子和光子有效限制在有源层内，提升激光器的光场限制因子。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币，实缴资本1316.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息457条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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