北京
金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市云在上半导体材料有限公司申请一项名为“一种碳化硅聚焦环及其制备方法”的专利，公开号 CN 119650390 A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，一种碳化硅聚焦环及其制备方法，属于聚焦环技术领域。所述碳化硅聚焦环用于对进行等离子体处理的晶圆片进行载置，包括：内环，包括两个分割半环，两个分割半环之间通过拼接结构相连，所述拼接结构包括分别设置在两个分割半环上的凸部和凹部，当两个分割半环位于拼接到位的位置时，所述凸部和凹部之间留有一定间隙；外环，设置在所述内环的外周且与所述内环同心配置，所述外环的热膨胀系数小于所述内环的热膨胀系数。本申请实现了在碳化硅聚焦环工作在等离子体处理的环境中时，可以利用其发生的热膨胀变形来减小聚焦环与静电吸盘之间的间隙，避免了沉积物的附着；同时由于拼接结构的设置，可在一定程度上减少由于热膨胀而引发的应力或裂纹问题。
天眼查资料显示，深圳市云在上半导体材料有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市云在上半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息1条，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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