北京
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金融界 2025 年 3 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“半导体接合结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119630000 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体接合结构及其制造方法。该半导体接合结构，其包括第一半导体芯片、至少一第二半导体芯片、应力调节结构以及导电层。至少一第二半导体芯片配置于第一半导体芯片上并且与第一半导体芯片电性连接。应力调节结构配置于第一半导体芯片与至少一第二半导体芯片中的至少一者内。导电层配置于至少一第二半导体芯片上，且导电层与至少一第二半导体芯片电性连接。本公开亦提出前述半导体接合结构的制造方法。前述的半导体接合结构可应用于高性能、高容量的 3D NAND 闪存的制造。
本文源自金融界
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