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将电阻开关和整流功能集成到单个存储器器件中，有望通过简化的器件架构实现高写入/读取精度，但其实现仍然具有挑战性，尤其是在低电压操作下。
本文中，韩国釜山国立大学Beomjin Jeong等人开发了一种具有单一忆阻层的自整流电阻存储器，能够在超低电压下工作，并具有优异的整流比。忆阻层由铁电聚合物聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物 [P(VDF-TrFE)] 和二维卤化物钙钛矿丁基铵铅碘化物 (BA₂PbI₄) 的相分离横向异质结构组成，可以通过旋涂法轻松制备。系统表征表明，自极化的 P(VDF-TrFE) 产生的横向铁电极化可以整流电流流入 BA₂PbI₄ 通道。
由 Ag/P(VDF-TrFE):BA₂PbI₄/氧化铟锡 (ITO) 组成的电阻存储器在 ±0.4 V 下可编程的高电阻开关比 >10⁶，在 ±0.1 V 下的整流比 >10⁶，并具有长数据保持时间和稳定的耐久性循环。
文章亮点总结
自整流功能：该存储器器件通过铁电聚合物 P(VDF-TrFE) 和二维钙钛矿 BA₂PbI₄ 的横向异质结构实现了自整流功能，无需额外的整流器件，简化了器件结构并提高了写入和读取的准确性。
低电压操作：该器件在超低电压（±0.4 V）下实现了高电阻开关比（>10⁶）和优异的整流比（>10⁶），展示了其在低功耗存储器应用中的潜力。
长数据保持和耐久性：该存储器器件表现出长数据保持时间（>10⁴ 秒）和稳定的耐久性循环（200 次），展示了其在非易失性存储器中的可靠性。
Self-Rectifying Resistive Memory with a Ferroelectric and 2D Perovskite Lateral Heterostructure
Jeonghyeon Son,
Minsub Lee, Arindam Sannyal, Hojun Yun, Jaehui Cheon, Sumin Lee, Jong S. Park, Seok Ju Kang, Joonkyung Jang, and Beomjin Jeong
ACS Nano Article ASAP
DOI: 10.1021/acsnano.4c07869
https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.4c07869
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