广东
近日，有网友发现在一篇介绍SK海力士进军高能效移动DRAM的报告里，提及了SK海力士正在开发LPDDR5M。相比于SK海力士之前的LPDDR5T，LPDDR5M的速率同样是9.6Gbps，但是工作电压更低，从1.01至1.12V降至0.98V，能效提高了8%。
无论是LPDDR5T还是LPDDR5M，本质上仍然是LPDDR5X，在原有JEDEC规范基础上进行了一些扩展，以进一步提升性能。预计LPDDR5M会出现在具有设备端AI功能的智能手机中，以便本地运行密集型操作时消耗更少的电量，满足设备制造商的需求。有分析师认为，SK海力士最快会在年内推出LPDDR5M。
与此同时，SK海力士并没有放慢HBM产品的开发速度，现在已来到一个关键的节点。有媒体表示，SK海力士已经对12层堆叠的HBM4进行了试产，良品率从去年末的60%提升到70%。HBM4进展如此顺利，主要原因是采用了1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，性能和稳定性已经得到验证，相同的制程节点也将用于制造HBM3E产品。
SK海力士计划最早于2025年6月向英伟达运送HBM4样品，以满足Rubin架构产品的需求。SK海力士目标下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品，预计2025年第三季度开始进入全面供应阶段。随着良品率的稳步提升，SK海力士的计划看来是可行的。
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