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据TomsHardware报道，三星在最近的ISSCC 2025上展示了即将发布第10代V-NAND闪存，不仅拥有创纪录的有源层数和突破性的性能，而且还首次将COP（Cell-on-Periphery）结构和混合键合技术结合。
三星展示的第10代V-NAND属于1Tb的TLC闪存，总层数超过了400层，预计达到420层至430层，接口速度达5.6Gbps，大约是700 MB/s。同时位密度超过了28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。位密度很可能不是三星这款新产品的主要目标，关键在于创纪录的有源层数，另外就是COP结构和混合键合技术的结合。
三星在之前的NAND闪存里采用了COP结构，将外围电路放在一块晶圆上，然后单元堆叠在上面，不过当层数超过400层时，下层外围电路的压力会影响可靠性。传闻三星将采用长江存储的专利混合键合技术，消除了对凸块的需求，缩短了电路，从而提高了性能和散热性。
目前的NAND芯片通常每个封装里包含8个或16个模块，也就是说单NAND芯片装入16个模块就能提供2TB容量，四个NAND芯片提供8TB容量，双面M.2 2280 SSD就能翻倍至16TB。不过三星近年来都没有发布双面SSD，主要问题在于这样的设计与绝大部分笔记本电脑不兼容。按照第10代V-NAND闪存的接口速度，意味着大概10个模块就能够让PCIe 4.0 x4接口的速度饱和，20个就能满足PCIe 5.0 x4接口的速度，普通单面SSD的速度就达到了PCIe 6.0 x4接口的一半。
毫无疑问，第10代V-NAND闪存的带宽和容量将在三星下一代存储设备中发挥关键作用。
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