北京
近日，韩媒ZDNet Korea报道称，三星将使用长江存储专利技术，系历史首次。
据悉，近期三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。
三星电子作为存储芯片行业的领头羊，从中国企业获得专利授权比较罕见。
报道称，三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。
三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影响。
与三星相比，长江存储是一个后起之秀，2016年成立于武汉，至今不到10年。相对于快速抢市场，长江存储选择把大部分精力放在了技术创新以及专利布局等工作上，不仅为推进技术进步，更为了在专利战中获得胜利。
截至目前，长江存储专利申请数量超过1万件。2023年11月8日，长江存储以八件专利起诉美光之后，又在2024年7月追加了11件专利的起诉，两案并案处理。长江存储向美光起诉专利侵权也有一定象征意义，不仅显示出了自身技术的领先性，也体现出国内企业在面对外界打压的顽强性。
对于长江存储来说，此次向三星这样的头部存储技术大厂提供专利许可，属于中国存储产业历史上的首次，充分凸显长江存储在3D NAND领域的技术创新实力。
对于长江存储对外许可专利技术，您有什么看法呢？
来源： 快科技、知识产权信息网等
▼ 往期热文推荐 ▼
【温馨提示】文中部分图片来源网络，版权归属原作者，若有不妥，请联系告知修改或删除。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
