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金融界2025年2月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“改善光刻对准标记变异的方法”的专利，公开号CN 119493349 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善光刻对准标记变异的方法，在前层图形上形成光刻对准标记；利用0.05‑0.2um/min的生长速率在前层图形上形成第一厚度的第一外延层；利用1.5‑2.5um/min的生长速率在第一外延层上形成第二厚度的第二外延层。本发明采用二步外延生长法，从而获得较好的光刻对准记号。能生长较厚的外延层，减少一层光刻对准标记，从而减少工艺时间。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币，实缴资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目841次，知识产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可427个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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