北京
金融界2025年1月21日消息，国家知识产权局信息显示，浙江福达合金材料科技有限公司申请一项名为“一种基于PIII-IBED技术对电接触件表面修饰的方法”的专利，公开号CN 119265529 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及电接触件制备表面修饰技术领域，尤其涉及一种基于PIII‑IBED技术对电接触件表面修饰的方法。本发明创新将PIII‑IBED技术利用到电接触件的表面修饰，利用离子束增强沉积技术产生的低能金属离子温和地沉积到材料表面形成初步修饰的沉积膜，填充微观表面缺陷和不平整处，使电接触件形成电接触时的实际接触面积增大，确保后续应用时更优异的灭弧性能及电接触寿命，然后再利用等离子体浸没技术产生高能的惰性气体等离子体轰击初步修饰的沉积膜，使注入的离子同沉积的原子相碰撞，并具有一定的能量而均匀地沉积到基体表面，使得沉积层均匀致密，无针孔，而且与基体结合牢固。
天眼查资料显示，浙江福达合金材料科技有限公司，成立于2019年，位于温州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本15000万人民币，实缴资本15000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江福达合金材料科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，知识产权方面有商标信息84条，专利信息341条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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