北京
金融界2025年1月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种校正大漏电下电容测量值的方法”的专利，公开号 CN 119310351 A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种校正大漏电下电容测量值的方法，提供用于测量栅氧MOS器件栅氧层电容值的并联二元模型，并联二元模型为：由并联电容Cp和等效电阻Rp并联后形成的并联电路模型；通过LCP测试仪选用所述并联二元模型，采用频率f1对所述栅氧MOS器件进行测量，得到并联电容Cp1和并联电导Gp1；计算耗散因子D1，当D1<0.1时，测量得到的并联电容Cp1即为栅氧MOS器件中栅氧层的电容值；当D1>0.1时，通过LCP测试仪选用并联二元模型，采用频率f2对栅氧MOS器件进行测量，得到并联电容Cp2和并联电导Gp2求得栅氧MOS器件栅氧层的实际电容值C。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币，实缴资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2067次，专利信息2179条，此外企业还拥有行政许可341个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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