北京
金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，江西乾照半导体科技有限公司和扬州乾照光电有限公司申请一项名为“一种砷化镓系 LED 外延结构及 LED 芯片”的专利，公开号 CN 119300566 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种砷化镓系 LED 外延结构及 LED 芯片，包括：砷化镓衬底；位于所述衬底一侧表面依次层叠的 N 型半导体层、有源层以及 P 型半导体层；其中，在所述砷化镓衬底与所述 N 型半导体层之间设有复合型缓冲层；所述复合型缓冲层包括在所述砷化镓衬底表面依次设置的第一 GaAs 缓冲层、缺陷生长层和缺陷终止层，所述缺陷生长层用于使所述第一 GaAs 缓冲层的晶体缺陷扩大，所述缺陷终止层通过改变所述晶体缺陷的生长方向而终止所述晶体缺陷的生长。基于上述设置，可以有效避免因砷化镓衬底表面的刮伤及缺陷等为起点所形成的外延层错位、堆垛缺陷等结晶缺陷甚至滑移，提升长晶质量，同时成本提升较小。尤其适用高功率 LED 和小尺寸(如 Mini、Micro)LED。
天眼查资料显示，江西乾照半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南昌市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本27000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西乾照半导体科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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