上海
财联社1月16日电，英诺赛科公告，公司及公司全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（统称原告）已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司（被告一）、英飞凌科技（无锡）有限公司（被告二）及苏州芯沃科电子科技有限公司（被告三），就202311774650.7号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1430号》及就202211387983.X号专利提交起诉状《(2024)苏05民初1431号》。英诺苏州为202311774650.7号及202211387983.X号专利的专利权人，公司已就涉案专利获得英诺苏州许可。涉案专利分别涉及一种氮化镓(GaN)功率器件及其制备方法，以及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。根据起诉状，被告二是被告一的全资控股子公司，并为英飞凌中文网站的备案主体。该网站向中国的潜在客户展示、宣传及许诺销售多种型号的氮化镓(GaN)半导体器件；被告一是涉案侵权产品的进口商和总经销商；根据英飞凌中文网站，被告三是被告一、被告二于中国的增值分销商。经技术比对，原告认为涉案侵权产品落入涉案专利的保护范围，三被告未经原告允许实施了许诺销售、销售、进口涉案侵权产品的行为，构成对涉案专利的侵害，依法应当承担相应的法律责任，包括停止侵权行为及承担赔偿责任。
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