北京
金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市芯电元科技有限公司申请一项名为“碳化硅 MOSFET 高温离子注入方法及装置”的专利，公开号 CN 119297074 A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明涉及 MOSFET 制备的技术领域，公开了一种碳化硅 MOSFET 高温离子注入方法及装置，本发明对基板进行预处理并获取规格和性能参数，根据这些参数设计高温离子注入方案，在基板表面制备纳米结构以引导离子注入，对基板加热至工作状态，通过纳米结构进行高温离子注入，实时采集注入效果数据并分析，通过调整参数优化注入效果，直至完成中间状态基板的制备，该方法通过纳米结构引导和实时反馈调节，提高了离子注入的精度和均匀性，解决了现有技术中对碳化硅进行高温离子注入的精度不足的问题。
天眼查资料显示，深圳市芯电元科技有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1845.233万人民币，实缴资本1500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市芯电元科技有限公司参与招投标项目2次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可11个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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