北京
金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，苏州远创达科技有限公司申请一项名为“一种改进的片上集成RC电路的射频芯片”的专利，公开号CN 119252831 A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种改进的片上集成RC电路的射频芯片，包括衬底、外延层、设置于外延层的有源区，外延层上在有源区的栅极与输入金属焊盘之间设置有多组电阻电容组合结构，电阻电容组合结构的电阻和电容并联，有源区的栅极通过电阻电容组合结构连接输入金属焊盘，电阻电容组合结构的电容包括依次从下往上设置在外延层上的第一金属层、第二金属层和第三金属层，第一金属层、第二金属层和第三金属层之间均设置有钝化层，第一金属层与所述第三金属层并联连接作为电容的第一极板连接输入金属焊盘，第二金属层作为电容的第二极板连接栅极。通过第一金属层与第三金属层对中间金属层形成屏蔽，减小了接入有源区电容极板到地之间的寄生电容，降低耦合损耗。
天眼查资料显示，苏州远创达科技有限公司，成立于2008年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1352.626155万人民币，实缴资本1318.134188万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州远创达科技有限公司参与招投标项目9次，知识产权方面有商标信息4条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可4个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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